深圳市潤華(hua)創芯科技有(you)(you)限公司作為(wei)專(zhuan)業的(de)(de)(de)(de)集成半導(dao)體(ti)器件設計與(yu)供應(ying)商，始終(zhong)致力(li)于推(tui)廣性能(neng)卓越(yue)，質量穩(wen)定且具有(you)(you)價格競爭(zheng)力(li)的(de)(de)(de)(de)集成半導(dao)體(ti)器件。為(wei)客戶提(ti)供優秀(xiu)的(de)(de)(de)(de)芯片方案(an)，在功(gong)(gong)率(lv)半導(dao)體(ti)器件方面提(ti)供擊穿(chuan)電(dian)壓覆蓋(gai)-100V至700V的(de)(de)(de)(de)MOSFET，穩(wen)態電(dian)流覆蓋(gai)100mA至400A的(de)(de)(de)(de)選擇范(fan)圍。采用最(zui)先進的(de)(de)(de)(de)溝槽(cao)工藝技術和(he)電(dian)流通路布局(ju)結構，實現了MOSFET的(de)(de)(de)(de)功(gong)(gong)率(lv)密度(du)最(zui)大化，顯(xian)著降低(di)(di)(di)了電(dian)流傳導(dao)過程中(zhong)的(de)(de)(de)(de)導(dao)通功(gong)(gong)率(lv)損(sun)耗。同時，提(ti)供低(di)(di)(di)開(kai)(kai)關(guan)損(sun)耗的(de)(de)(de)(de)系(xi)列MOSFET，產品有(you)(you)效(xiao)減低(di)(di)(di)了槽(cao)極(ji)(ji)電(dian)荷(he)（Qg），尤其是(shi)槽(cao)漏極(ji)(ji)間的(de)(de)(de)(de)電(dian)荷(he)（Qgd），從而在快速開(kai)(kai)關(guan)過程中(zhong)降低(di)(di)(di)開(kai)(kai)關(guan)損(sun)耗。產品采用先進的(de)(de)(de)(de)SGT工藝，將MOSFET功(gong)(gong)率(lv)，散熱和(he)可(ke)靠(kao)性提(ti)升至新的(de)(de)(de)(de)高(gao)度(du)，確保(bao)MOSFET在復(fu)雜使(shi)用環(huan)境(jing)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)可(ke)靠(kao)性，且有(you)(you)效(xiao)的(de)(de)(de)(de)降低(di)(di)(di)了成本。
